LPE চুল্লি কারখানার জন্য 8 ইঞ্চি হাফমুন অংশ
ট্যানটালাম কার্বাইড প্রলিপ্ত প্ল্যানেটারি রোটেশন ডিস্ক প্রস্তুতকারক
চায়না সলিড SiC এচিং ফোকাসিং রিং
LPE PE2061S সরবরাহকারীর জন্য SiC প্রলিপ্ত ব্যারেল সাসেপ্টর

ট্যানটালাম কার্বাইড লেপ

ট্যানটালাম কার্বাইড লেপ

VeTek সেমিকন্ডাক্টর অর্ধপরিবাহী শিল্পের জন্য ট্যানটালাম কার্বাইড আবরণ উপকরণগুলির একটি নেতৃস্থানীয় প্রস্তুতকারক। আমাদের প্রধান পণ্য অফারগুলির মধ্যে রয়েছে CVD ট্যানটালাম কার্বাইড লেপ অংশ, SiC ক্রিস্টাল বৃদ্ধি বা সেমিকন্ডাক্টর এপিটাক্সি প্রক্রিয়ার জন্য sintered TaC আবরণ অংশ। ISO9001 পাস করা, VeTek সেমিকন্ডাক্টরের মানের উপর ভাল নিয়ন্ত্রণ রয়েছে। VeTek সেমিকন্ডাক্টর চলমান গবেষণা এবং পুনরাবৃত্তিমূলক প্রযুক্তির বিকাশের মাধ্যমে ট্যানটালাম কার্বাইড লেপ শিল্পে উদ্ভাবক হওয়ার জন্য নিবেদিত।


প্রধান পণ্য হলট্যানটালাম কার্বাইড লেপ ডিফেক্টর রিং, TaC প্রলিপ্ত ডাইভারশন রিং, TaC প্রলিপ্ত হাফমুন অংশ, ট্যানটালাম কার্বাইড প্রলিপ্ত প্ল্যানেটারি রোটেশন ডিস্ক (Aixtron G10), TaC প্রলিপ্ত ক্রুসিবল; TaC প্রলিপ্ত রিং; TaC প্রলিপ্ত ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট; ট্যানটালাম কার্বাইড আবরণ গ্রাফাইট সাসেপ্টর; TaC প্রলিপ্ত গাইড রিং; TaC ট্যানটালাম কার্বাইড প্রলিপ্ত প্লেট; TaC প্রলিপ্ত ওয়েফার সাসেপ্টর; TaC আবরণ রিং; TaC আবরণ গ্রাফাইট কভার; TaC প্রলিপ্ত খণ্ডইত্যাদি, বিশুদ্ধতা 5ppm এর নিচে, গ্রাহকের প্রয়োজনীয়তা পূরণ করতে পারে।


TaC আবরণ গ্রাফাইট একটি মালিকানাধীন রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) প্রক্রিয়া দ্বারা একটি উচ্চ-বিশুদ্ধ গ্রাফাইট সাবস্ট্রেটের পৃষ্ঠকে ট্যানটালাম কার্বাইডের একটি সূক্ষ্ম স্তর দিয়ে আবরণ করে তৈরি করা হয়৷ সুবিধাটি নীচের ছবিতে দেখানো হয়েছে:


Performance Advantages of Tantalum Carbide Coating


ট্যানটালাম কার্বাইড (TaC) আবরণটি 3880°C পর্যন্ত উচ্চ গলনাঙ্ক, চমৎকার যান্ত্রিক শক্তি, কঠোরতা এবং তাপীয় শক প্রতিরোধের কারণে মনোযোগ আকর্ষণ করেছে, এটি উচ্চ তাপমাত্রার প্রয়োজনীয়তা সহ যৌগিক অর্ধপরিবাহী এপিটাক্সি প্রক্রিয়াগুলির একটি আকর্ষণীয় বিকল্প হিসাবে তৈরি করেছে, যেমন Aixtron MOCVD সিস্টেম এবং LPE SiC epitaxy process.PVT পদ্ধতি SiC ক্রিস্টাল বৃদ্ধি প্রক্রিয়ায় এটির ব্যাপক প্রয়োগ রয়েছে।


মূল বৈশিষ্ট্য:

তাপমাত্রা স্থিতিশীলতা

অতি উচ্চ বিশুদ্ধতা

H2, NH3, SiH4, Si এর প্রতিরোধ

তাপীয় স্টক প্রতিরোধের

গ্রাফাইটের শক্তিশালী আনুগত্য

কনফর্মাল লেপ কভারেজ

750 মিমি ব্যাস পর্যন্ত আকার (চীনের একমাত্র প্রস্তুতকারক এই আকারে পৌঁছায়)


অ্যাপ্লিকেশন:

ওয়েফার ক্যারিয়ার

ইন্ডাকটিভ হিটিং সাসেপ্টর

প্রতিরোধী গরম করার উপাদান

স্যাটেলাইট ডিস্ক

ঝরনা

গাইড রিং

এলইডি ইপি রিসিভার

ইনজেকশন অগ্রভাগ

মাস্কিং রিং

তাপ ঢাল


একটি মাইক্রোস্কোপিক ক্রস-সেকশনে ট্যানটালাম কার্বাইড (TaC) আবরণ:

Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section


VeTek সেমিকন্ডাক্টর ট্যানটালাম কার্বাইড আবরণের প্যারামিটার:

TaC আবরণের শারীরিক বৈশিষ্ট্য
ঘনত্ব 14.3 (g/cm³)
নির্দিষ্ট নির্গততা 0.3
তাপ সম্প্রসারণ সহগ 6.3 10-6/কে
কঠোরতা (HK) 2000 HK
প্রতিরোধ 1×10-5ওম*সেমি
তাপীয় স্থিতিশীলতা <2500℃
গ্রাফাইটের আকার পরিবর্তন -10~-20um
আবরণ বেধ ≥20um সাধারণ মান (35um±10um)


TaC আবরণ EDX ডেটা

TaC coating EDX data


TaC আবরণ স্ফটিক গঠন তথ্য

উপাদান পারমাণবিক শতাংশ
পন্ডিত 1 পন্ডিত 2 পন্ডিত 3 গড়
সি কে 52.10 57.41 52.37 53.96
টা এম 47.90 42.59 47.63 46.04


সিলিকন কার্বাইড আবরণ

সিলিকন কার্বাইড আবরণ

VeTek সেমিকন্ডাক্টর অতি বিশুদ্ধ সিলিকন কার্বাইড লেপ পণ্য উৎপাদনে বিশেষজ্ঞ, এই আবরণগুলিকে বিশুদ্ধ গ্রাফাইট, সিরামিক এবং অবাধ্য ধাতব উপাদানগুলিতে প্রয়োগ করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে।

আমাদের উচ্চ বিশুদ্ধতার আবরণগুলি প্রাথমিকভাবে সেমিকন্ডাক্টর এবং ইলেকট্রনিক্স শিল্পে ব্যবহারের জন্য লক্ষ্য করা হয়েছে৷ তারা ওয়েফার ক্যারিয়ার, সাসেপ্টর এবং গরম করার উপাদানগুলির জন্য একটি প্রতিরক্ষামূলক স্তর হিসাবে কাজ করে, এমওসিভিডি এবং ইপিআই-এর মতো প্রক্রিয়াগুলিতে ক্ষয়কারী এবং প্রতিক্রিয়াশীল পরিবেশ থেকে তাদের রক্ষা করে। এই প্রক্রিয়াগুলি ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণ এবং ডিভাইস উত্পাদন অবিচ্ছেদ্য। উপরন্তু, আমাদের আবরণগুলি ভ্যাকুয়াম ফার্নেস এবং নমুনা গরম করার জন্য উপযুক্ত, যেখানে উচ্চ ভ্যাকুয়াম, প্রতিক্রিয়াশীল এবং অক্সিজেন পরিবেশের সম্মুখীন হয়।

VeTek সেমিকন্ডাক্টরে, আমরা আমাদের উন্নত মেশিন শপের ক্ষমতা সহ একটি ব্যাপক সমাধান অফার করি। এটি আমাদেরকে গ্রাফাইট, সিরামিক বা অবাধ্য ধাতু ব্যবহার করে বেস উপাদান তৈরি করতে এবং ঘরে ঘরে SiC বা TaC সিরামিক আবরণ প্রয়োগ করতে সক্ষম করে। আমরা গ্রাহকের সরবরাহকৃত অংশগুলির জন্য আবরণ পরিষেবাও প্রদান করি, বিভিন্ন চাহিদা মেটাতে নমনীয়তা নিশ্চিত করে।

আমাদের সিলিকন কার্বাইড লেপ পণ্যগুলি ব্যাপকভাবে Si epitaxy, SiC epitaxy, MOCVD সিস্টেম, RTP/RTA প্রক্রিয়া, এচিং প্রক্রিয়া, ICP/PSS এচিং প্রক্রিয়া, নীল এবং সবুজ LED, UV LED এবং গভীর-UV সহ বিভিন্ন LED ধরনের প্রক্রিয়াতে ব্যবহৃত হয়। LED ইত্যাদি, যা LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI ইত্যাদির সরঞ্জামগুলির সাথে অভিযোজিত হয়।


সিলিকন কার্বাইড আবরণ বিভিন্ন অনন্য সুবিধা:

Silicon Carbide Coating several unique advantages


VeTek সেমিকন্ডাক্টর সিলিকন কার্বাইড আবরণ পরামিতি:

CVD SiC আবরণের মৌলিক শারীরিক বৈশিষ্ট্য
সম্পত্তি সাধারণ মান
ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার FCC β ফেজ পলিক্রিস্টালাইন, প্রধানত (111) ভিত্তিক
ঘনত্ব 3.21 গ্রাম/সেমি³
কঠোরতা 2500 ভিকার কঠোরতা (500 গ্রাম লোড)
শস্যের আকার 2~10μm
রাসায়নিক বিশুদ্ধতা 99.99995%
তাপ ক্ষমতা 640 J·kg-1·K-1
পরমানন্দ তাপমাত্রা 2700℃
নমনীয় শক্তি 415 MPa RT 4-পয়েন্ট
ইয়ং এর মডুলাস 430 Gpa 4pt বাঁক, 1300℃
তাপ পরিবাহিতা 300W·m-1·K-1
তাপীয় সম্প্রসারণ (CTE) 4.5×10-6K-1

SEM data and structure of CVD SIC films


ওয়েফার

ওয়েফার


Wafer Substrate is a wafer made of semiconductor single crystal material. The substrate can directly enter the wafer manufacturing process to produce semiconductor devices, or it can be processed by epitaxial process to produce epitaxial wafers.


Wafer Substrate, as the basic supporting structure of semiconductor devices, directly affects the performance and stability of the devices. As the "foundation" for semiconductor device manufacturing, a series of manufacturing processes such as thin film growth and lithography need to be carried out on the substrate.


Summary of substrate types:


1. Single crystal silicon wafer: currently the most common substrate material, widely used in the manufacture of integrated circuits (ICs), microprocessors, memories, MEMS devices, power devices, etc.;

2. SOI substrate: used for high-performance, low-power integrated circuits, such as high-frequency analog and digital circuits, RF devices and power management chips;





3. Compound semiconductor substrates: Gallium arsenide substrate (GaAs): microwave and millimeter wave communication devices, etc. Gallium nitride substrate (GaN): used for RF power amplifiers, HEMT, etc. Silicon carbide substrate (SiC): used for electric vehicles, power converters and other power devices Indium phosphide substrate (InP): used for lasers, photodetectors, etc.;




4. Sapphire substrate: used for LED manufacturing, RFIC (radio frequency integrated circuit), etc.;


Vetek Semiconductor is a professional SiC Substrate and SOI substrate supplier in China. Our 4H semi-insulating type SiC substrate and 4H Semi Insulating Type SiC Substrate are widely used in key components of semiconductor manufacturing equipment. 


Vetek Semiconductor is committed to providing advanced and customizable Wafer Substrate products and technical solutions of various specifications for the semiconductor industry. We sincerely look forward to becoming your supplier in China.


ALD

ALD


Thin film preparation processes can be divided into two categories according to their film forming methods: physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD), of which CVD process equipment accounts for a higher proportion. Atomic layer deposition (ALD) is one of the chemical vapor deposition (CVD).


Atomic layer deposition technology (Atomic Layer Deposition, referred to as ALD) is a vacuum coating process that forms a thin film on the surface of a substrate layer by layer in the form of a single atomic layer. ALD technology is currently being widely adopted by the semiconductor industry.


Atomic layer deposition process:


Atomic layer deposition usually includes a cycle of 4 steps, which is repeated as many times as needed to achieve the required deposition thickness. The following is an example of ALD of Al₂O₃, using precursor substances such as Al(CH₃) (TMA) and O₂.


Step 1) Add TMA precursor vapor to the substrate, TMA will adsorb on the substrate surface and react with it. By selecting appropriate precursor substances and parameters, the reaction will be self-limiting.

Step 2) Remove all residual precursors and reaction products.

Step 3) Low-damage remote plasma irradiation of the surface with reactive oxygen radicals oxidizes the surface and removes surface ligands, a reaction that is also self-limiting due to the limited number of surface ligands.

Step 4) Reaction products are removed from the chamber.


Only step 3 differs between thermal and plasma processes, with H₂O being used in thermal processes and O₂ plasma being used in plasma processes. Since the ALD process deposits (sub)-inch-thick films per cycle, the deposition process can be controlled at the atomic scale.



1st Half-CyclePurge2nd Half-CyclePurge



Highlights of Atomic Layer Deposition (ALD):


1) Grow high-quality thin films with extreme thickness accuracy, and only grow a single atomic layer at a time

2) Wafer thickness can reach 200 mm, with typical uniformity <±2%

3) Excellent step coverage even in high aspect ratio structures

4) Highly fitted coverage

5) Low pinhole and particle levels

6) Low damage and low temperature process

7) Reduce nucleation delay

8) Applicable to a variety of materials and processes


Compared with traditional chemical vapor deposition (CVD) and physical vapor deposition (PVD), the advantages of ALD are excellent three-dimensional conformality, large-area film uniformity, and precise thickness control, etc. It is suitable for growing ultra-thin films on complex surface shapes and high aspect ratio structures. Therefore, it is widely applicable to substrates of different shapes and does not require control of reactant flow uniformity.


Comparison of the advantages and disadvantages of PVD technology, CVD technology and ALD technology:


PVD technology
CVD technology
ALD technology
Faster deposition rate
Average deposition rate
Slower deposition rate
Thicker film thickness, poor control of nano-level film thickness precision

Medium film thickness

(depends on the number of reaction cycles)

Atomic-level film thickness
The coating has a single directionality
The coating has a single directionality
Good uniformity of large-area film thickness
Poor thickness uniformity
Average step coverage
Best step coverage
Poor step coverage
\ Dense film without pinholes


Advantages of ALD technology compared to CVD technology (Source: ASM)








Vetek Semiconductor is a professional ALD Susceptor products supplier in China. Our ALD Susceptor, SiC coating ALD susceptor and ALD Planetary Susceptor are widely used in key components of semiconductor manufacturing equipment. Vetek Semiconductor is committed to providing advanced and customizable ALD Susceptor products and technical solutions of various specifications for the semiconductor industry. We sincerely look forward to becoming your supplier in China.



বৈশিষ্ট্যযুক্ত পণ্য

আমাদের সম্পর্কে

VeTek সেমিকন্ডাক্টর টেকনোলজি কোং, লিমিটেড, 2016 সালে প্রতিষ্ঠিত, সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের জন্য উন্নত আবরণ সামগ্রীর একটি নেতৃস্থানীয় প্রদানকারী। আমাদের প্রতিষ্ঠাতা, চাইনিজ একাডেমি অফ সায়েন্সেস ইনস্টিটিউট অফ ম্যাটেরিয়ালস-এর একজন প্রাক্তন বিশেষজ্ঞ, শিল্পের জন্য অত্যাধুনিক সমাধানগুলি বিকাশের উপর ফোকাস রেখে সংস্থাটি প্রতিষ্ঠা করেছেন৷

আমাদের প্রধান পণ্য অফার অন্তর্ভুক্তCVD সিলিকন কার্বাইড (SiC) আবরণ, ট্যানটালাম কার্বাইড (TaC) আবরণ, বাল্ক SiC, SiC পাউডার, এবং উচ্চ-বিশুদ্ধ SiC উপকরণ. প্রধান পণ্যগুলি হল SiC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট সাসেপ্টর, প্রিহিট রিং, TaC প্রলিপ্ত ডাইভারশন রিং, হাফমুন পার্টস ইত্যাদি, বিশুদ্ধতা 5ppm এর নিচে, গ্রাহকের প্রয়োজনীয়তা পূরণ করতে পারে।

নতুন পণ্য

খবর

ভৌত বাষ্প জমা আবরণের নীতি ও প্রযুক্তি (2/2) - VeTek সেমিকন্ডাক্টর

ভৌত বাষ্প জমা আবরণের নীতি ও প্রযুক্তি (2/2) - VeTek সেমিকন্ডাক্টর

ইলেক্ট্রন রশ্মি বাষ্পীভবন একটি অত্যন্ত দক্ষ এবং ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত আবরণ পদ্ধতি যা রেজিস্ট্যান্স হিটিং এর তুলনায়, যা একটি ইলেক্ট্রন রশ্মি দিয়ে বাষ্পীভবন উপাদানকে উত্তপ্ত করে, যার ফলে এটি একটি পাতলা ফিল্মে বাষ্প হয়ে যায় এবং ঘনীভূত হয়।

আরও পড়ুন
ভৌত বাষ্প জমা আবরণের নীতি ও প্রযুক্তি (1/2) - VeTek সেমিকন্ডাক্টর

ভৌত বাষ্প জমা আবরণের নীতি ও প্রযুক্তি (1/2) - VeTek সেমিকন্ডাক্টর

ভ্যাকুয়াম আবরণ ফিল্ম উপাদান বাষ্পীকরণ, ভ্যাকুয়াম পরিবহন এবং পাতলা ফিল্ম বৃদ্ধি অন্তর্ভুক্ত। বিভিন্ন ফিল্ম উপাদান বাষ্পীভবন পদ্ধতি এবং পরিবহন প্রক্রিয়া অনুযায়ী, ভ্যাকুয়াম আবরণ দুটি বিভাগে বিভক্ত করা যেতে পারে: PVD এবং CVD।

আরও পড়ুন
CVD TaC এবং sintered TaC এর মধ্যে পার্থক্য কি?

CVD TaC এবং sintered TaC এর মধ্যে পার্থক্য কি?

এই নিবন্ধটি প্রথমে TaC-এর আণবিক গঠন এবং ভৌত বৈশিষ্ট্যগুলির সাথে পরিচয় করিয়ে দেয়, এবং sintered tantalum carbide এবং CVD tantalum carbide, সেইসাথে VeTek সেমিকন্ডাক্টরের জনপ্রিয় TaC আবরণ পণ্যগুলির পার্থক্য এবং প্রয়োগের উপর ফোকাস করে৷

আরও পড়ুন
কিভাবে CVD TaC আবরণ প্রস্তুত?

কিভাবে CVD TaC আবরণ প্রস্তুত?

এই নিবন্ধটি CVD TaC আবরণের পণ্য বৈশিষ্ট্য, CVD পদ্ধতি ব্যবহার করে CVD TaC আবরণ প্রস্তুত করার প্রক্রিয়া এবং প্রস্তুত করা CVD TaC আবরণের পৃষ্ঠের আকারবিদ্যা সনাক্তকরণের প্রাথমিক পদ্ধতির পরিচয় দেয়।

আরও পড়ুন
ট্যানটালাম কার্বাইড আবরণ কি?

ট্যানটালাম কার্বাইড আবরণ কি?

এই নিবন্ধটি TaC আবরণের পণ্য বৈশিষ্ট্য, CVD প্রক্রিয়া ব্যবহার করে TaC আবরণ পণ্য প্রস্তুত করার নির্দিষ্ট প্রক্রিয়া, এবং VeTek সেমিকন্ডাক্টরের সবচেয়ে জনপ্রিয় TaC আবরণ প্রবর্তন করে।

আরও পড়ুন
SiC আবরণ কেন SiC এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির জন্য একটি মূল উপাদান?

SiC আবরণ কেন SiC এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির জন্য একটি মূল উপাদান?

এই নিবন্ধটি কেন SiC আবরণকে SiC এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির জন্য একটি মূল উপাদান হিসাবে বিশ্লেষণ করে এবং সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে SiC আবরণের সুনির্দিষ্ট সুবিধার উপর দৃষ্টি নিবদ্ধ করে।

আরও পড়ুন
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept