CVD SiC প্যানকেক সাসেপ্টর

উচ্চতর শারীরিক বৈশিষ্ট্য

VeTek সেমিকন্ডাক্টর CVD SiC প্যানকেক সাসেপ্টর সর্বাধুনিক রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) প্রযুক্তি ব্যবহার করে তৈরি করা হয় যাতে চমৎকার স্থায়িত্ব এবং চরম তাপমাত্রার অভিযোজনযোগ্যতা নিশ্চিত করা যায়। নিম্নলিখিত এর প্রধান শারীরিক বৈশিষ্ট্য:

● তাপীয় স্থিতিশীলতা: CVD SiC এর উচ্চ তাপীয় স্থিতিশীলতা উচ্চ তাপমাত্রার অবস্থার অধীনে স্থিতিশীল কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে।

● নিম্ন তাপ সম্প্রসারণ সহগ: উপাদানটির একটি অত্যন্ত কম তাপীয় সম্প্রসারণ গুণাঙ্ক রয়েছে, যা তাপমাত্রার পরিবর্তনের কারণে সৃষ্ট বিকৃতি এবং বিকৃতি কমিয়ে দেয়।

● রাসায়নিক জারা প্রতিরোধের: চমৎকার রাসায়নিক প্রতিরোধের এটি কঠোর পরিবেশের বিভিন্ন উচ্চ কর্মক্ষমতা বজায় রাখতে সক্ষম করে.

সুনির্দিষ্ট সমর্থন এবং অপ্টিমাইজ করা তাপ স্থানান্তর

VeTekSemi এর প্যানকেক সাসেপ্টর ভিত্তিক SiC প্রলিপ্ত ডিজাইন করা হয়েছে সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফারগুলিকে মিটমাট করার জন্য এবং এপিটাক্সিয়াল ডিপোজিশনের সময় চমৎকার সহায়তা প্রদান করার জন্য। SiC প্যানকেক সাসেপ্টর উন্নত কম্পিউটেশনাল সিমুলেশন টেকনোলজি ব্যবহার করে ডিজাইন করা হয়েছে যাতে বিভিন্ন তাপমাত্রা এবং চাপের অবস্থার মধ্যে ওয়ারিং এবং বিকৃতি কমানো যায়। এর সাধারণ তাপ সম্প্রসারণ সহগ প্রায় 4.0 × 10^^-6/°C, যার অর্থ হল এর মাত্রিক স্থায়িত্ব উচ্চ-তাপমাত্রার পরিবেশে ঐতিহ্যবাহী উপকরণের তুলনায় উল্লেখযোগ্যভাবে ভালো, যার ফলে ওয়েফার বেধ (সাধারণত 200 মিমি থেকে 300 মিমি) এর সামঞ্জস্যতা নিশ্চিত করা হয়।

এছাড়াও, CVD প্যানকেক সাসেপ্টর তাপ স্থানান্তর করতে পারদর্শী, যার তাপ পরিবাহিতা 120 W/m·K পর্যন্ত। এই উচ্চ তাপ পরিবাহিতা দ্রুত এবং কার্যকরভাবে তাপ পরিচালনা করতে পারে, চুল্লির মধ্যে তাপমাত্রার অভিন্নতা বাড়াতে পারে, এপিটাক্সিয়াল ডিপোজিশনের সময় অভিন্ন তাপ বিতরণ নিশ্চিত করতে পারে এবং অসম তাপের কারণে সৃষ্ট জমা ত্রুটিগুলি কমাতে পারে। অপ্টিমাইজ করা তাপ স্থানান্তর কর্মক্ষমতা জমার গুণমান উন্নত করার জন্য গুরুত্বপূর্ণ, যা কার্যকরভাবে প্রক্রিয়া ওঠানামা কমাতে এবং ফলন উন্নত করতে পারে।

এই ডিজাইন এবং কর্মক্ষমতা অপ্টিমাইজেশানগুলির মাধ্যমে, VeTek সেমিকন্ডাক্টরের CVD SiC প্যানকেক সাসেপ্টর সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনের জন্য একটি শক্ত ভিত্তি প্রদান করে, কঠোর প্রক্রিয়াকরণ পরিস্থিতিতে নির্ভরযোগ্যতা এবং ধারাবাহিকতা নিশ্চিত করে এবং উচ্চ নির্ভুলতা এবং গুণমানের জন্য আধুনিক সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের কঠোর প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে।

CVD SIC ফিল্ম ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার

CVD SiC আবরণের মৌলিক শারীরিক বৈশিষ্ট্য

CVD SiC আবরণের মৌলিক শারীরিক বৈশিষ্ট্য
সম্পত্তি	সাধারণ মান
ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার	FCC β ফেজ পলিক্রিস্টালাইন, প্রধানত (111) ভিত্তিক
ঘনত্ব	3.21 গ্রাম/সেমি³
কঠোরতা	2500 ভিকার কঠোরতা (500 গ্রাম লোড)
শস্যের আকার	2~10μm
রাসায়নিক বিশুদ্ধতা	99.99995%
তাপ ক্ষমতা	640 J·kg-1· কে-1
পরমানন্দ তাপমাত্রা	2700℃
নমনীয় শক্তি	415 MPa RT 4-পয়েন্ট
ইয়ং এর মডুলাস	430 Gpa 4pt বাঁক, 1300℃
তাপ পরিবাহিতা	300W·m-1· কে-1
তাপীয় সম্প্রসারণ (CTE)	4.5×10-6K-1