সিলিকন এপিটাক্সির বৈশিষ্ট্য

সিলিকন এপিটাক্সির বৈশিষ্ট্যগুলি নিম্নরূপ:

উচ্চ বিশুদ্ধতা: রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) দ্বারা উত্থিত সিলিকন এপিটাক্সিয়াল স্তরের অত্যন্ত উচ্চ বিশুদ্ধতা, ভাল পৃষ্ঠ সমতলতা এবং প্রথাগত ওয়েফারের তুলনায় কম ত্রুটির ঘনত্ব রয়েছে।

পাতলা ফিল্ম অভিন্নতা: সিলিকন এপিটাক্সি একটি নির্দিষ্ট গ্যারান্টিযুক্ত বৃদ্ধির হারের অধীনে একটি খুব অভিন্ন পাতলা ফিল্ম গঠন করতে পারে। একই সময়ে, গরম করার অভিন্নতা অর্জন করা যেতে পারে, যার ফলে স্ফটিক কাঠামোর ত্রুটিগুলি হ্রাস করা যায় এবং স্ফটিকের গুণমান উন্নত করা যায়।

দৃঢ় নিয়ন্ত্রণযোগ্যতা: সিলিকন এপিটাক্সি প্রযুক্তি সঠিকভাবে সিলিকন পদার্থের রূপবিদ্যা, আকার এবং গঠন নিয়ন্ত্রণ করতে পারে এবং জটিল স্ফটিক কাঠামো যেমন মাল্টি-লেয়ার হেটেরোজাংশন বৃদ্ধি করতে পারে।

বড় ওয়েফার ব্যাস: সিলিকন এপিটাক্সিয়াল গ্রোথ টেকনোলজি বড় ব্যাস সহ সিলিকন ওয়েফার বাড়াতে পারে এবং বড় ব্যাসের সিলিকন ওয়েফার তৈরি করার ক্ষমতা সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

প্রক্রিয়া নির্ভরযোগ্যতা: সিলিকন এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়াটি বহুবার পুনঃব্যবহার করা যেতে পারে, যা অর্ধপরিবাহী ডিভাইসগুলির ব্যাপক উত্পাদনের জন্য অত্যন্ত তাৎপর্যপূর্ণ।