Thin film preparation processes can be divided into two categories according to their film forming methods: physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD), of which CVD process equipment accounts for a higher proportion. Atomic layer deposition (ALD) is one of the chemical vapor deposition (CVD).
Atomic layer deposition technology (Atomic Layer Deposition, referred to as ALD) is a vacuum coating process that forms a thin film on the surface of a substrate layer by layer in the form of a single atomic layer. ALD technology is currently being widely adopted by the semiconductor industry.
Atomic layer deposition process:
Atomic layer deposition usually includes a cycle of 4 steps, which is repeated as many times as needed to achieve the required deposition thickness. The following is an example of ALD of Al₂O₃, using precursor substances such as Al(CH₃) (TMA) and O₂.
Step 1) Add TMA precursor vapor to the substrate, TMA will adsorb on the substrate surface and react with it. By selecting appropriate precursor substances and parameters, the reaction will be self-limiting.
Step 2) Remove all residual precursors and reaction products.
Step 3) Low-damage remote plasma irradiation of the surface with reactive oxygen radicals oxidizes the surface and removes surface ligands, a reaction that is also self-limiting due to the limited number of surface ligands.
Step 4) Reaction products are removed from the chamber.
Only step 3 differs between thermal and plasma processes, with H₂O being used in thermal processes and O₂ plasma being used in plasma processes. Since the ALD process deposits (sub)-inch-thick films per cycle, the deposition process can be controlled at the atomic scale.
Highlights of Atomic Layer Deposition (ALD):
1) Grow high-quality thin films with extreme thickness accuracy, and only grow a single atomic layer at a time
2) Wafer thickness can reach 200 mm, with typical uniformity <±2%
3) Excellent step coverage even in high aspect ratio structures
4) Highly fitted coverage
5) Low pinhole and particle levels
6) Low damage and low temperature process
7) Reduce nucleation delay
8) Applicable to a variety of materials and processes
Compared with traditional chemical vapor deposition (CVD) and physical vapor deposition (PVD), the advantages of ALD are excellent three-dimensional conformality, large-area film uniformity, and precise thickness control, etc. It is suitable for growing ultra-thin films on complex surface shapes and high aspect ratio structures. Therefore, it is widely applicable to substrates of different shapes and does not require control of reactant flow uniformity.
Comparison of the advantages and disadvantages of PVD technology, CVD technology and ALD technology:
PVD technology |
CVD technology |
ALD technology |
Faster deposition rate |
Average deposition rate |
Slower deposition rate |
Thicker film thickness, poor control of nano-level film thickness precision |
Medium film thickness (depends on the number of reaction cycles) |
Atomic-level film thickness |
The coating has a single directionality |
The coating has a single directionality |
Good uniformity of large-area film thickness |
Poor thickness uniformity |
Average step coverage |
Best step coverage |
Poor step coverage |
\ |
Dense film without pinholes |
Advantages of ALD technology compared to CVD technology (Source: ASM)
Vetek Semiconductor is a professional ALD Susceptor products supplier in China. Our ALD Susceptor, SiC coating ALD susceptor and ALD Planetary Susceptor are widely used in key components of semiconductor manufacturing equipment. Vetek Semiconductor is committed to providing advanced and customizable ALD Susceptor products and technical solutions of various specifications for the semiconductor industry. We sincerely look forward to becoming your supplier in China.
VeTek সেমিকন্ডাক্টর হল চীনে ALD সাসেপ্টর, CVD SiC আবরণ, CVD TAC আবরণ গ্রাফাইট বেসের একটি পেশাদার প্রস্তুতকারক। ভেটেক সেমিকন্ডাক্টর ALD প্রক্রিয়ার উচ্চ প্রয়োজনীয়তা মেটাতে এবং সাবস্ট্রেটে বায়ু প্রবাহকে সমানভাবে বিতরণ করার জন্য ALD সিস্টেম নির্মাতাদের সাথে যৌথভাবে SiC-কোটেড ALD গ্রহের ঘাঁটি তৈরি এবং উত্পাদিত করেছে। আমরা আপনার সাথে আরও সহযোগিতার জন্য উন্মুখ।
আরও পড়ুনঅনুসন্ধান পাঠানচীনে একটি পেশাদার SiC আবরণ ALD সাসেপ্টর প্রস্তুতকারক এবং সরবরাহকারী হিসাবে, VeTek সেমিকন্ডাক্টরের SiC আবরণ ALD সাসেপ্টর একটি সমর্থন উপাদান যা বিশেষভাবে পারমাণবিক স্তর জমা (ALD) প্রক্রিয়ায় ব্যবহৃত হয়। এটি ALD সরঞ্জামগুলিতে একটি মূল ভূমিকা পালন করে, জমা দেওয়ার প্রক্রিয়ার অভিন্নতা এবং নির্ভুলতা নিশ্চিত করে। আমরা বিশ্বাস করি যে আমাদের ALD প্ল্যানেটারি সাসেপ্টর পণ্যগুলি আপনাকে উচ্চ-মানের পণ্য সমাধান আনতে পারে।
আরও পড়ুনঅনুসন্ধান পাঠানALD প্রক্রিয়া, মানে পারমাণবিক স্তর এপিটাক্সি প্রক্রিয়া। ভেটেক সেমিকন্ডাক্টর এবং এএলডি সিস্টেম নির্মাতারা এসআইসি প্রলিপ্ত ALD প্ল্যানেটারি সাসেপ্টর তৈরি এবং তৈরি করেছে যা সাবস্ট্রেটের উপর বায়ুপ্রবাহকে সমানভাবে বিতরণ করার জন্য ALD প্রক্রিয়ার উচ্চ প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে। একই সময়ে, ভেটেক সেমিকন্ডাক্টরের উচ্চ বিশুদ্ধতা CVD SiC আবরণ প্রক্রিয়াটির বিশুদ্ধতা নিশ্চিত করে। আমাদের সাথে সহযোগিতা নিয়ে আলোচনা করতে স্বাগতম।
আরও পড়ুনঅনুসন্ধান পাঠান