ভৌত বাষ্প পরিবহন (PVT) পদ্ধতি ব্যবহার করে SiC এবং AlN একক স্ফটিক বৃদ্ধিতে, গুরুত্বপূর্ণ উপাদান যেমন ক্রুসিবল, বীজ ধারক এবং গাইড রিং একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে। চিত্র 2 [1] তে যেমন দেখানো হয়েছে, PVT প্রক্রিয়া চলাকালীন, বীজ স্ফটিক নিম্ন তাপমাত্রার অঞ্চলে অবস্থান করে, যখন SiC কাঁচামাল উচ্চ তাপ......
আরও পড়ুনসিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটের অনেক ত্রুটি রয়েছে এবং সরাসরি প্রক্রিয়া করা যায় না। চিপ ওয়েফার তৈরির জন্য একটি নির্দিষ্ট একক স্ফটিক পাতলা ফিল্ম একটি এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়ার মাধ্যমে তাদের উপর জন্মাতে হবে। এই পাতলা ফিল্মটি এপিটাক্সিয়াল স্তর। প্রায় সব সিলিকন কার্বাইড ডিভাইস এপিটাক্সিয়াল উপকরণে উপল......
আরও পড়ুনসিলিকন কার্বাইড এপিটাক্সিয়াল স্তরের উপাদান হল সিলিকন কার্বাইড, যা সাধারণত উচ্চ-শক্তি ইলেকট্রনিক ডিভাইস এবং এলইডি তৈরি করতে ব্যবহৃত হয়। এটি তার চমৎকার তাপীয় স্থিতিশীলতা, যান্ত্রিক শক্তি এবং উচ্চ বৈদ্যুতিক পরিবাহিতার কারণে সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।
আরও পড়ুন