> খবর

খবর

SiC একক ক্রিস্টাল বৃদ্ধির জন্য তাপীয় ক্ষেত্র ডিজাইন

পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স, অপটোইলেক্ট্রনিক্স এবং অন্যান্য ক্ষেত্রে SiC উপকরণের ক্রমবর্ধমান চাহিদার সাথে, SiC একক ক্রিস্টাল বৃদ্ধি প্রযুক্তির বিকাশ বৈজ্ঞানিক ও প্রযুক্তিগত উদ্ভাবনের একটি মূল ক্ষেত্র হয়ে উঠবে। SiC একক স্ফটিক বৃদ্ধির সরঞ্জামের মূল হিসাবে, তাপীয় ক্ষেত্রের নকশাটি ব্যাপক মনোযোগ এবং গভীর গবেষ......

আরও পড়ুন

চিপ উত্পাদন: MOSFET এর একটি প্রক্রিয়া প্রবাহ

চিপ উত্পাদন প্রক্রিয়ার মধ্যে রয়েছে ফটোলিথোগ্রাফি, এচিং, ডিফিউশন, পাতলা ফিল্ম, আয়ন ইমপ্লান্টেশন, রাসায়নিক যান্ত্রিক পলিশিং, পরিষ্কার করা ইত্যাদি। এই নিবন্ধটি মোটামুটিভাবে ব্যাখ্যা করে যে কীভাবে এই প্রক্রিয়াগুলি একটি MOSFET তৈরির জন্য ক্রমানুসারে একত্রিত হয়।

আরও পড়ুন

3C SiC এর বিকাশের ইতিহাস

ক্রমাগত প্রযুক্তিগত অগ্রগতি এবং গভীরতর প্রক্রিয়া গবেষণার মাধ্যমে, 3C-SiC হেটেরোপিট্যাক্সিয়াল প্রযুক্তি সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে আরও গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করবে এবং উচ্চ-দক্ষতাসম্পন্ন ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির বিকাশকে উন্নীত করবে বলে আশা করা হচ্ছে।

আরও পড়ুন

ALD পারমাণবিক স্তর জমা রেসিপি

স্থানিক ALD, স্থানিকভাবে বিচ্ছিন্ন পারমাণবিক স্তর জমা। ওয়েফারটি বিভিন্ন অবস্থানের মধ্যে চলে যায় এবং প্রতিটি অবস্থানে বিভিন্ন অগ্রদূতের সংস্পর্শে আসে। নীচের চিত্রটি ঐতিহ্যগত ALD এবং স্থানিকভাবে বিচ্ছিন্ন ALD এর মধ্যে একটি তুলনা।

আরও পড়ুন

ট্যানটালাম কার্বাইড প্রযুক্তি যুগান্তকারী, SiC এপিটাক্সিয়াল দূষণ 75% কমেছে?

সম্প্রতি, জার্মান গবেষণা প্রতিষ্ঠান ফ্রাউনহোফার আইআইএসবি ট্যানটালাম কার্বাইড লেপ প্রযুক্তির গবেষণা এবং উন্নয়নে একটি অগ্রগতি অর্জন করেছে, এবং একটি স্প্রে আবরণ সমাধান তৈরি করেছে যা CVD জমা সমাধানের চেয়ে বেশি নমনীয় এবং পরিবেশ বান্ধব, এবং বাণিজ্যিকীকরণ করা হয়েছে।

আরও পড়ুন

সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে 3D প্রিন্টিং প্রযুক্তির অনুসন্ধানমূলক প্রয়োগ

দ্রুত প্রযুক্তিগত বিকাশের যুগে, 3D প্রিন্টিং, উন্নত উত্পাদন প্রযুক্তির একটি গুরুত্বপূর্ণ প্রতিনিধি হিসাবে, ধীরে ধীরে ঐতিহ্যগত উত্পাদনের চেহারা পরিবর্তন করছে। প্রযুক্তির ক্রমাগত পরিপক্কতা এবং খরচ হ্রাসের সাথে, 3D প্রিন্টিং প্রযুক্তি মহাকাশ, অটোমোবাইল উত্পাদন, চিকিৎসা সরঞ্জাম এবং স্থাপত্য নকশার মতো অন......

আরও পড়ুন

<...6 7 8 9 10 >