Aixtron MOCVD রিসেপ্টর

Susceptors দ্বারা উত্পাদিতভেটেক সেমিকন্ডাক্টরগ্রাফাইট সাবস্ট্রেট এবং সিলিকন কার্বাইড (SiC) আবরণ উপাদান দিয়ে তৈরি। উচ্চ পরিধান প্রতিরোধের, জারা প্রতিরোধের এবং SiC উপাদানের অত্যন্ত উচ্চ কঠোরতা দেওয়া, এটি কঠোর প্রক্রিয়া পরিবেশে ব্যবহারের জন্য বিশেষভাবে উপযুক্ত। অতএব, ভেটেক সেমিকন্ডাক্টর দ্বারা উত্পাদিত সাসেপ্টরগুলি অতিরিক্ত পৃষ্ঠ চিকিত্সা ছাড়াই উচ্চ-তাপমাত্রা MOCVD প্রক্রিয়াগুলিতে সরাসরি ব্যবহার করা যেতে পারে।

সাসেপ্টরগুলি সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনের মূল উপাদান, বিশেষত পাতলা ফিল্ম জমার প্রক্রিয়াগুলির জন্য MOCVD সরঞ্জামগুলিতে। এর প্রধান ভূমিকাAixtron SiC রিসিভারএমওসিভিডি প্রক্রিয়ায় অর্ধপরিবাহী ওয়েফার বহন করা, অভিন্ন তাপ বিতরণ এবং প্রতিক্রিয়া পরিবেশ প্রদান করে পাতলা ফিল্মের অভিন্ন এবং উচ্চ-মানের জমা নিশ্চিত করা, যার ফলে উচ্চ-মানের পাতলা ফিল্ম উত্পাদন অর্জন করা।

Aixtron MOCVD রিসেপ্টরসাধারণত জমা প্রক্রিয়া চলাকালীন ওয়েফারের স্থায়িত্ব নিশ্চিত করতে অর্ধপরিবাহী ওয়েফারের ভিত্তি সমর্থন এবং ঠিক করতে ব্যবহৃত হয়। একই সময়ে, Aixtron MOCVD সাসেপ্টরের পৃষ্ঠের আবরণ সিলিকন কার্বাইড (SiC), একটি অত্যন্ত তাপীয় পরিবাহী উপাদান দিয়ে তৈরি। SiC আবরণ ওয়েফারের পৃষ্ঠে অভিন্ন তাপমাত্রা নিশ্চিত করে এবং উচ্চ-মানের ফিল্ম পাওয়ার জন্য অভিন্ন গরম করা অপরিহার্য।

তাছাড়া, দAixtron MOCVD রিসেপ্টরআমরা উপাদানের অপ্টিমাইজড ডিজাইনের মাধ্যমে প্রতিক্রিয়াশীল গ্যাসের প্রবাহ এবং বিতরণ নিয়ন্ত্রণে একটি বড় ভূমিকা পালন করে। অভিন্ন ফিল্ম জমা করার জন্য এডি স্রোত এবং তাপমাত্রা গ্রেডিয়েন্ট এড়িয়ে চলুন।

আরও গুরুত্বপূর্ণভাবে, MOCVD প্রক্রিয়ায়, সিলিকন কার্বাইড (SiC) আবরণ উপাদানের জারা প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে, তাইভেটেক সেমিকন্ডাক্টরএরAixtron MOCVD রিসেপ্টরএছাড়াও উচ্চ তাপমাত্রা এবং ক্ষয়কারী গ্যাস সহ্য করতে পারে।

এর মৌলিক শারীরিক বৈশিষ্ট্যSIC আবরণ:

VeTek সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফার বোটের দোকান:

সেমিকন্ডাক্টর চিপ এপিটাক্সি ইন্ডাস্ট্রি চেইনের ওভারভিউ: