G5 এর জন্য GaN এপিটাক্সিয়াল গ্রাফাইট সাসেপ্টর

VeTek সেমিকন্ডাক্টর হল একটি পেশাদার প্রস্তুতকারক এবং সরবরাহকারী, G5-এর জন্য উচ্চ-মানের GaN Epitaxial Graphite susceptor প্রদানের জন্য নিবেদিত৷ আমরা আমাদের গ্রাহকদের আস্থা এবং সম্মান অর্জন করে দেশে এবং বিদেশে অনেক সুপরিচিত কোম্পানির সাথে দীর্ঘমেয়াদী এবং স্থিতিশীল অংশীদারিত্ব প্রতিষ্ঠা করেছি।

অনুসন্ধান পাঠান

পণ্যের বর্ণনা

VeTek সেমিকন্ডাক্টর হল একটি পেশাদার চায়না GaN Epitaxial Graphite susceptor for G5 প্রস্তুতকারক এবং সরবরাহকারী। G5 এর জন্য GaN Epitaxial Graphite susceptor হল Aixtron G5 ধাতু-জৈব রাসায়নিক বাষ্প জমা (MOCVD) সিস্টেমে উচ্চ-মানের গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) পাতলা ফিল্মগুলির বৃদ্ধির জন্য ব্যবহৃত একটি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান, এটি অভিন্ন তাপমাত্রা নিশ্চিত করতে একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে বন্টন, দক্ষ তাপ স্থানান্তর, এবং বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার সময় ন্যূনতম দূষণ।

G5 এর জন্য VeTek সেমিকন্ডাক্টর GaN এপিটাক্সিয়াল গ্রাফাইট সাসেপ্টরের মূল বৈশিষ্ট্য:

-উচ্চ বিশুদ্ধতা: সাসেপ্টরটি সিভিডি আবরণ সহ অত্যন্ত বিশুদ্ধ গ্রাফাইট থেকে তৈরি করা হয়, যা ক্রমবর্ধমান GaN ফিল্মগুলির দূষণকে হ্রাস করে৷

-অসাধারণ তাপ পরিবাহিতা: গ্রাফাইটের উচ্চ তাপ পরিবাহিতা (150-300 W/(m·K)) সাসেপ্টর জুড়ে অভিন্ন তাপমাত্রা বন্টন নিশ্চিত করে, যার ফলে সামঞ্জস্যপূর্ণ GaN ফিল্ম বৃদ্ধি পায়।

-নিম্ন তাপীয় সম্প্রসারণ: সাসেপ্টরের নিম্ন তাপীয় সম্প্রসারণ গুণাঙ্ক উচ্চ-তাপমাত্রার বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার সময় তাপীয় চাপ এবং ক্র্যাকিংকে কম করে।

-রাসায়নিক জড়তা: গ্রাফাইট রাসায়নিকভাবে জড় এবং GaN পূর্বসূরীদের সাথে বিক্রিয়া করে না, বড় হওয়া ফিল্মগুলিতে অবাঞ্ছিত অমেধ্য প্রতিরোধ করে।

- Aixtron G5 এর সাথে সামঞ্জস্যতা: সাসেপ্টরটি বিশেষভাবে Aixtron G5 MOCVD সিস্টেমে ব্যবহারের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, সঠিক ফিট এবং কার্যকারিতা নিশ্চিত করে।

অ্যাপ্লিকেশন:

উচ্চ-উজ্জ্বলতা LEDs: GaN-ভিত্তিক LEDs উচ্চ দক্ষতা এবং দীর্ঘ জীবনকাল অফার করে, যা এগুলিকে সাধারণ আলো, স্বয়ংচালিত আলো এবং প্রদর্শন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য আদর্শ করে তোলে।

উচ্চ-পাওয়ার ট্রানজিস্টর: GaN ট্রানজিস্টরগুলি পাওয়ারের ঘনত্ব, দক্ষতা এবং সুইচিং গতির ক্ষেত্রে উচ্চতর কর্মক্ষমতা প্রদান করে, যা তাদের পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।

লেজার ডায়োড: GaN-ভিত্তিক লেজার ডায়োডগুলি উচ্চ দক্ষতা এবং সংক্ষিপ্ত তরঙ্গদৈর্ঘ্য অফার করে, যা তাদের অপটিক্যাল স্টোরেজ এবং যোগাযোগ অ্যাপ্লিকেশনের জন্য আদর্শ করে তোলে।

G5 এর জন্য GaN এপিটাক্সিয়াল গ্রাফাইট সাসেপ্টরের পণ্যের প্যারামিটার

আইসোস্ট্যাটিক গ্রাফাইটের ভৌত বৈশিষ্ট্য
সম্পত্তি	ইউনিট	স্বাভাবিক মূল্য
বাল্ক ঘনত্ব	g/cm³	1.83
কঠোরতা	এইচএসডি	58
বৈদ্যুতিক প্রতিরোধ ক্ষমতা	mΩ.m	10
নমনীয় শক্তি	এমপিএ	47
কম্প্রেসিভ স্ট্রেন্থ	এমপিএ	103
প্রসার্য শক্তি	এমপিএ	31
ইয়ং এর মডুলাস	জিপিএ	11.8
তাপীয় সম্প্রসারণ (CTE)	10-6K-1	4.6
তাপ পরিবাহিতা	W·m-1·K-1	130
গড় শস্য আকার	μm	8-10
পোরোসিটি	%	10
চফঘব	পিপিএম	≤10 (শুদ্ধ করার পর)

দ্রষ্টব্য: লেপের আগে, আমরা প্রথম পরিশোধন করব, লেপের পরে, দ্বিতীয় পরিশোধন করব।

CVD SiC আবরণের মৌলিক শারীরিক বৈশিষ্ট্য
সম্পত্তি	স্বাভাবিক মূল্য
স্ফটিক গঠন	FCC β ফেজ পলিক্রিস্টালাইন, প্রধানত (111) ভিত্তিক
ঘনত্ব	3.21 গ্রাম/সেমি³
কঠোরতা	2500 ভিকার কঠোরতা (500 গ্রাম লোড)
দ্রব্যের আকার	2~10μm
রাসায়নিক বিশুদ্ধতা	99.99995%
তাপ ধারনক্ষমতা	640 J·kg-1·K-1
পরমানন্দ তাপমাত্রা	2700℃
নমনীয় শক্তি	415 MPa RT 4-পয়েন্ট
ইয়ং এর মডুলাস	430 Gpa 4pt বাঁক, 1300℃
তাপ পরিবাহিতা	300W·m-1·K-1
তাপীয় সম্প্রসারণ (CTE)	4.5×10-6K-1