অনুভূমিক SiC ওয়েফার ক্যারিয়ার

VeTek সেমিকন্ডাক্টরঅনুভূমিক SiC ওয়েফার ক্যারিয়ার/নৌকাটির একটি অত্যন্ত উচ্চ গলনাঙ্ক রয়েছে (প্রায় 2700 ডিগ্রি সেলসিয়াস), যা সক্ষম করেঅনুভূমিক SiC ওয়েফার ক্যারিয়ার/বিকৃতি বা অবক্ষয় ছাড়াই উচ্চ তাপমাত্রার পরিবেশে স্থিরভাবে কাজ করার জন্য নৌকা। এই বৈশিষ্ট্যটি সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন প্রক্রিয়ায় বিশেষভাবে গুরুত্বপূর্ণ, বিশেষত উচ্চ-তাপমাত্রা অ্যানিলিং বা রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) এর মতো প্রক্রিয়াগুলিতে।

দ্যঅনুভূমিক SiC ওয়েফার ক্যারিয়ার/নৌকা বিশেষভাবে ওয়েফার ক্যারিয়ার বহন করার প্রক্রিয়াতে নিম্নলিখিত ভূমিকা পালন করে:

সিলিকন ওয়েফার বহন এবং সমর্থন: অনুভূমিক SiC ওয়েফার বোটটি প্রধানত অর্ধপরিবাহী উত্পাদনের সময় সিলিকন ওয়েফার বহন এবং সমর্থন করতে ব্যবহৃত হয়। এটি দৃঢ়ভাবে একাধিক সিলিকন ওয়েফারকে একসাথে সাজাতে পারে যাতে তারা পুরো প্রক্রিয়াকরণ প্রক্রিয়া জুড়ে ভাল অবস্থান এবং স্থিতিশীলতায় থাকে।

ইউনিফর্ম হিটিং এবং কুলিং: SiC এর উচ্চ তাপ পরিবাহিতার কারণে, ওয়েফার বোট কার্যকরভাবে সমস্ত সিলিকন ওয়েফারে সমানভাবে তাপ বিতরণ করতে পারে। এটি উচ্চ-তাপমাত্রা প্রক্রিয়াকরণের সময় সিলিকন ওয়েফারগুলির অভিন্ন গরম বা শীতলকরণ অর্জনে সহায়তা করে, প্রক্রিয়াকরণ প্রক্রিয়ার ধারাবাহিকতা এবং নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে।

দূষণ প্রতিরোধ করুন: SiC-এর রাসায়নিক স্থিতিশীলতা এটিকে উচ্চ-তাপমাত্রা এবং ক্ষয়কারী গ্যাস পরিবেশে ভাল কাজ করতে সক্ষম করে, যার ফলে সিলিকন ওয়েফারের সম্ভাব্য দূষক বা বিক্রিয়কগুলির সংস্পর্শ হ্রাস করে, সিলিকন ওয়েফারগুলির বিশুদ্ধতা এবং গুণমান নিশ্চিত করে৷

প্রকৃতপক্ষে, অনুভূমিক SiC ওয়েফার বোট তার অনন্য পণ্য বৈশিষ্ট্যগুলির কারণে উপরোক্ত ভূমিকা পালন করতে পারে:

চমৎকার রাসায়নিক স্থিতিশীলতা: SiC উপাদান রাসায়নিক মিডিয়া বিভিন্ন চমৎকার জারা প্রতিরোধের আছে. ক্ষয়কারী গ্যাস বা তরল প্রক্রিয়াকরণের প্রক্রিয়ায়, SiC ওয়েফার বোট কার্যকরভাবে রাসায়নিক ক্ষয় প্রতিরোধ করতে পারে এবং সিলিকন ওয়েফারকে দূষণ বা ক্ষতি থেকে রক্ষা করতে পারে।

উচ্চ তাপ পরিবাহিতা: SiC এর উচ্চ তাপ পরিবাহিতা বাহক প্রক্রিয়ায় সমানভাবে তাপ বিতরণ করতে এবং তাপ জমা কমাতে সাহায্য করে। এটি নির্ভুল প্রক্রিয়াকরণের সময় তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণের নির্ভুলতা উন্নত করতে পারে এবং সিলিকন ওয়েফারগুলির অভিন্ন গরম বা শীতলকরণ নিশ্চিত করতে পারে।

নিম্ন তাপ সম্প্রসারণ সহগ: SiC উপাদানের নিম্ন তাপীয় প্রসারণ সহগ মানে তাপমাত্রা পরিবর্তনের সময় SiC ওয়েফার বোটের মাত্রিক পরিবর্তন খুবই ছোট। এটি উচ্চ-তাপমাত্রা প্রক্রিয়াকরণের সময় মাত্রিক স্থিতিশীলতা বজায় রাখতে সহায়তা করে এবং তাপীয় প্রসারণের কারণে সিলিকন ওয়েফারগুলির বিকৃতি বা অবস্থানগত স্থানচ্যুতি প্রতিরোধ করে।

অনুভূমিক SiC ওয়েফার ক্যারিয়ারের মৌলিক শারীরিক বৈশিষ্ট্য:

VeTek সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন দোকান:

সেমিকন্ডাক্টর চিপ এপিটাক্সি ইন্ডাস্ট্রি চেইনের ওভারভিউ: