VeTek সেমিকন্ডাক্টরের TaC লেপ চাকে একটি উচ্চ-মানের TaC আবরণ রয়েছে, যা বিশেষ করে সিলিকন কার্বাইড (SiC) epitaxy (EPI) প্রক্রিয়ায় অসামান্য উচ্চ-তাপমাত্রা প্রতিরোধ এবং রাসায়নিক নিষ্ক্রিয়তার জন্য পরিচিত। এর ব্যতিক্রমী বৈশিষ্ট্য এবং উচ্চতর কর্মক্ষমতা সহ, আমাদের TaC কোটিং চক বেশ কয়েকটি মূল সুবিধা প্রদান করে। আমরা প্রতিযোগীতামূলক মূল্যে মানসম্পন্ন পণ্য সরবরাহ করতে প্রতিশ্রুতিবদ্ধ এবং চীনে আপনার দীর্ঘমেয়াদী অংশীদার হওয়ার জন্য উন্মুখ।
VeTek সেমিকন্ডাক্টরের TaC লেপ চাক হল SiC EPI প্রক্রিয়ায় ব্যতিক্রমী ফলাফল অর্জনের জন্য আদর্শ সমাধান। এর TaC আবরণ, উচ্চ-তাপমাত্রা প্রতিরোধ, এবং রাসায়নিক জড়তা সহ, আমাদের পণ্য আপনাকে নির্ভুলতা এবং নির্ভরযোগ্যতার সাথে উচ্চ-মানের ক্রিস্টাল তৈরি করার ক্ষমতা দেয়। আমাদের জিজ্ঞাসা করতে স্বাগতম।
TaC (ট্যান্টালাম কার্বাইড) একটি উপাদান যা সাধারণত এপিটাক্সিয়াল সরঞ্জামের অভ্যন্তরীণ অংশগুলির পৃষ্ঠকে আবরণ করতে ব্যবহৃত হয়। এটির নিম্নলিখিত বৈশিষ্ট্য রয়েছে:
চমৎকার উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধের: TaC আবরণ 2200°C পর্যন্ত তাপমাত্রা সহ্য করতে পারে, যা এপিটাক্সিয়াল প্রতিক্রিয়া চেম্বারগুলির মতো উচ্চ তাপমাত্রার পরিবেশে অ্যাপ্লিকেশনের জন্য আদর্শ করে তোলে।
উচ্চ কঠোরতা: TaC-এর কঠোরতা প্রায় 3000-4000 HV পর্যন্ত পৌঁছে, যা সাধারণত ব্যবহৃত স্টেইনলেস স্টীল বা অ্যালুমিনিয়াম খাদ থেকে অনেক কঠিন, যা কার্যকরভাবে পৃষ্ঠ পরিধান প্রতিরোধ করতে পারে।
শক্তিশালী রাসায়নিক স্থিতিশীলতা: TaC আবরণ রাসায়নিকভাবে ক্ষয়কারী পরিবেশে ভাল কাজ করে এবং এপিটাক্সিয়াল সরঞ্জাম উপাদানগুলির পরিষেবা জীবনকে ব্যাপকভাবে প্রসারিত করতে পারে।
ভাল বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা: TaC আবরণের ভাল বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা রয়েছে, যা ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক মুক্তি এবং তাপ পরিবাহনের জন্য সহায়ক।
এই বৈশিষ্ট্যগুলি TaC আবরণকে অভ্যন্তরীণ বুশিং, প্রতিক্রিয়া চেম্বারের দেয়াল এবং এপিটাক্সিয়াল সরঞ্জামগুলির জন্য গরম করার উপাদানগুলির মতো গুরুত্বপূর্ণ অংশগুলি তৈরির জন্য একটি আদর্শ উপাদান করে তোলে। এই উপাদানগুলিকে TaC দিয়ে আবরণ করে, এপিটাক্সিয়াল সরঞ্জামগুলির সামগ্রিক কর্মক্ষমতা এবং পরিষেবা জীবন উন্নত করা যেতে পারে।
সিলিকন কার্বাইড এপিটাক্সির জন্য, TaC আবরণ খণ্ড একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করতে পারে। TaC আবরণের পৃষ্ঠটি মসৃণ এবং ঘন, যা উচ্চ-মানের সিলিকন কার্বাইড ফিল্ম গঠনের জন্য সহায়ক। একই সময়ে, TaC এর চমৎকার তাপ পরিবাহিতা সরঞ্জামের ভিতরে তাপমাত্রা বন্টনের অভিন্নতা উন্নত করতে সাহায্য করতে পারে, যার ফলে এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়ার তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণের নির্ভুলতা উন্নত হয় এবং শেষ পর্যন্ত উচ্চ মানের সিলিকন কার্বাইড এপিটাক্সিয়াল স্তর বৃদ্ধি অর্জন করে।
TaC আবরণের শারীরিক বৈশিষ্ট্য | |
ঘনত্ব | 14.3 (g/cm³) |
নির্দিষ্ট নির্গততা | 0.3 |
তাপ সম্প্রসারণ সহগ | ৬.৩ ১০-৬/কে |
কঠোরতা (HK) | 2000 HK |
প্রতিরোধ | 1×10-5 ওহম*সেমি |
তাপ - মাত্রা সহনশীল | <2500℃ |
গ্রাফাইটের আকার পরিবর্তন | -10~-20um |
আবরণ বেধ | ≥20um সাধারণ মান (35um±10um) |