VeTek সেমিকন্ডাক্টর হল একটি নেতৃস্থানীয় Tantalum কার্বাইড প্রলিপ্ত কভার প্রস্তুতকারক এবং চীনের উদ্ভাবক। আমরা অনেক বছর ধরে TaC এবং SiC আবরণে বিশেষায়িত হয়েছি। আমাদের পণ্যগুলির একটি জারা প্রতিরোধের, উচ্চ শক্তি রয়েছে। আমরা চীনে আপনার দীর্ঘমেয়াদী অংশীদার হওয়ার জন্য উন্মুখ।
VeTek সেমিকন্ডাক্টরে চীন থেকে ট্যানটালাম কার্বাইড প্রলিপ্ত কভারের একটি বিশাল নির্বাচন খুঁজুন। পেশাদার বিক্রয়োত্তর পরিষেবা এবং সঠিক মূল্য প্রদান করুন, সহযোগিতার জন্য উন্মুখ। VeTek সেমিকন্ডাক্টর দ্বারা তৈরি ট্যানটালাম কার্বাইড প্রলিপ্ত কভারটি বিশেষভাবে AIXTRON G10 MOCVD সিস্টেমের জন্য ডিজাইন করা একটি আনুষঙ্গিক, যার লক্ষ্য দক্ষতা অপ্টিমাইজ করা এবং সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন গুণমান উন্নত করা। এটি মেটাল-অর্গানিক কেমিক্যাল ভ্যাপার ডিপোজিশন (MOCVD) প্রক্রিয়াগুলির জন্য অসামান্য কর্মক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে, উচ্চ-মানের উপকরণগুলি ব্যবহার করে সাবধানতার সাথে তৈরি করা হয়েছে এবং অত্যন্ত নির্ভুলতার সাথে তৈরি করা হয়েছে।
রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) ট্যানটালাম কার্বাইড (TaC) দিয়ে প্রলিপ্ত একটি গ্রাফাইট সাবস্ট্রেট দিয়ে নির্মিত, ট্যানটালাম কার্বাইড প্রলিপ্ত কভার ব্যতিক্রমী তাপীয় স্থিতিশীলতা, উচ্চ বিশুদ্ধতা এবং উচ্চ তাপমাত্রার প্রতিরোধের প্রস্তাব দেয়। উপকরণের এই অনন্য সমন্বয় MOCVD সিস্টেমের চাহিদাপূর্ণ অপারেশনাল অবস্থার জন্য একটি নির্ভরযোগ্য সমাধান প্রদান করে।
ট্যানটালাম কার্বাইড প্রলিপ্ত কভারটি বিভিন্ন সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফার মাপের সমন্বয় করার জন্য কাস্টমাইজযোগ্য, এটি বিভিন্ন উত্পাদন প্রয়োজনীয়তার জন্য উপযুক্ত করে তোলে। এর মজবুত নির্মাণটি বিশেষত চ্যালেঞ্জিং MOCVD পরিবেশকে প্রতিরোধ করার জন্য ইঞ্জিনিয়ার করা হয়েছে, দীর্ঘস্থায়ী কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে এবং ওয়েফার ক্যারিয়ার এবং সাসেপ্টরগুলির সাথে যুক্ত ডাউনটাইম এবং রক্ষণাবেক্ষণের খরচ কমিয়ে দেয়।
AIXTRON G10 MOCVD সিস্টেমে TaC কভার অন্তর্ভুক্ত করে, সেমিকন্ডাক্টর নির্মাতারা উচ্চতর দক্ষতা এবং উচ্চতর ফলাফল অর্জন করতে পারে। ব্যতিক্রমী তাপীয় স্থিতিশীলতা, বিভিন্ন ওয়েফার আকারের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণতা এবং প্ল্যানেটারি ডিস্কের নির্ভরযোগ্য কর্মক্ষমতা এটিকে উত্পাদন দক্ষতা অপ্টিমাইজ করার এবং MOCVD প্রক্রিয়ায় অসামান্য ফলাফল অর্জনের জন্য একটি অপরিহার্য হাতিয়ার করে তোলে।
TaC আবরণের শারীরিক বৈশিষ্ট্য | |
ঘনত্ব | 14.3 (g/cm³) |
নির্দিষ্ট নির্গততা | 0.3 |
তাপ সম্প্রসারণ সহগ | 6.3 10-6/কে |
কঠোরতা (HK) | 2000 HK |
প্রতিরোধ | 1×10-5ওম*সেমি |
তাপীয় স্থিতিশীলতা | <2500℃ |
গ্রাফাইটের আকার পরিবর্তন | -10~-20um |
আবরণ বেধ | ≥20um সাধারণ মান (35um±10um) |