মনোক্রিস্টালাইন সিলিকনের জন্য ক্রুসিবল

CZ (Czochralski) পদ্ধতিতে, গলিত পলিক্রিস্টালাইন সিলিকনের সংস্পর্শে একটি মনোক্রিস্টালাইন বীজ এনে একটি একক স্ফটিক জন্মানো হয়। ধীরে ধীরে ঘোরানো অবস্থায় বীজটি ধীরে ধীরে উপরের দিকে টানা হয়। এই প্রক্রিয়ায়, উল্লেখযোগ্য সংখ্যক গ্রাফাইট অংশ ব্যবহার করা হয়, এটি এমন একটি পদ্ধতি তৈরি করে যা সিলিকন অর্ধপরিবাহী উত্পাদনে সর্বাধিক পরিমাণে গ্রাফাইট উপাদান নিয়োগ করে।

নীচের ছবিটি CZ পদ্ধতির উপর ভিত্তি করে একটি সিলিকন একক-ক্রিস্টাল উত্পাদন চুল্লির একটি পরিকল্পিত উপস্থাপনা প্রদান করে।

মনোক্রিস্টালাইন সিলিকনের জন্য ভেটেক সেমিকন্ডাক্টরের ক্রুসিবল সেমিকন্ডাক্টর স্ফটিকগুলির সুনির্দিষ্ট গঠনের জন্য একটি স্থিতিশীল এবং নিয়ন্ত্রিত পরিবেশ প্রদান করে। তারা Czochralski প্রক্রিয়া এবং ফ্লোট-জোন পদ্ধতির মতো উন্নত কৌশলগুলি ব্যবহার করে মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন ইঙ্গট বৃদ্ধিতে সহায়ক ভূমিকা পালন করে, যা ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির জন্য উচ্চ-মানের সামগ্রী তৈরির জন্য গুরুত্বপূর্ণ।

অসামান্য তাপীয় স্থিতিশীলতা, রাসায়নিক জারা প্রতিরোধের, এবং ন্যূনতম তাপীয় সম্প্রসারণের জন্য প্রকৌশলী, এই ক্রুসিবলগুলি স্থায়িত্ব এবং দৃঢ়তা নিশ্চিত করে। এগুলি কাঠামোগত অখণ্ডতা বা কর্মক্ষমতার সাথে আপস না করে কঠোর রাসায়নিক পরিবেশ সহ্য করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, যার ফলে ক্রুসিবলের জীবনকাল প্রসারিত হয় এবং দীর্ঘায়িত ব্যবহারের উপর সামঞ্জস্যপূর্ণ কর্মক্ষমতা বজায় থাকে।

মনোক্রিস্টালাইন সিলিকনের জন্য ভেটেক সেমিকন্ডাক্টর ক্রুসিবলের অনন্য রচনা তাদের উচ্চ-তাপমাত্রা প্রক্রিয়াকরণের চরম অবস্থা সহ্য করতে সক্ষম করে। এটি ব্যতিক্রমী তাপীয় স্থিতিশীলতা এবং বিশুদ্ধতার গ্যারান্টি দেয়, যা অর্ধপরিবাহী প্রক্রিয়াকরণের জন্য গুরুত্বপূর্ণ। রচনাটি দক্ষ তাপ স্থানান্তরকেও সুবিধা দেয়, অভিন্ন স্ফটিককরণের প্রচার করে এবং সিলিকন গলনের মধ্যে তাপীয় গ্রেডিয়েন্ট কমিয়ে দেয়।

আমাদের SiC আবরণ সাসেপ্টরের সুবিধা:

বেস মেটেরিয়াল প্রোটেকশন: CVD SiC আবরণ এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়া চলাকালীন একটি প্রতিরক্ষামূলক স্তর হিসাবে কাজ করে, কার্যকরভাবে বেস উপাদানকে ক্ষয় এবং বাহ্যিক পরিবেশের কারণে ক্ষতি থেকে রক্ষা করে। এই প্রতিরক্ষামূলক পরিমাপটি সরঞ্জামের পরিষেবা জীবনকে ব্যাপকভাবে প্রসারিত করে।

চমৎকার তাপ পরিবাহিতা: আমাদের CVD SiC আবরণ অসামান্য তাপ পরিবাহিতা ধারণ করে, দক্ষতার সাথে ভিত্তি উপাদান থেকে আবরণ পৃষ্ঠে তাপ স্থানান্তর করে। এটি এপিটাক্সির সময় তাপ পরিচালনার দক্ষতা বাড়ায়, সরঞ্জামগুলির জন্য সর্বোত্তম অপারেটিং তাপমাত্রা নিশ্চিত করে।

উন্নত ফিল্মের গুণমান: CVD SiC আবরণ একটি সমতল এবং অভিন্ন পৃষ্ঠ প্রদান করে, যা ফিল্ম বৃদ্ধির জন্য একটি আদর্শ ভিত্তি তৈরি করে। এটি জালির অমিলের ফলে সৃষ্ট ত্রুটিগুলি হ্রাস করে, এপিটাক্সিয়াল ফিল্মের স্ফটিকতা এবং গুণমান বাড়ায় এবং শেষ পর্যন্ত এর কার্যকারিতা এবং নির্ভরযোগ্যতা উন্নত করে।

আপনার এপিটাক্সিয়াল ওয়েফার উৎপাদনের প্রয়োজনের জন্য আমাদের SiC কোটিং সাসেপ্টর চয়ন করুন এবং উন্নত সুরক্ষা, উচ্চতর তাপ পরিবাহিতা এবং উন্নত ফিল্মের গুণমান থেকে উপকৃত হন। সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে আপনার সাফল্য চালনা করার জন্য VeTek সেমিকন্ডাক্টরের উদ্ভাবনী সমাধানগুলিতে বিশ্বাস করুন।

উৎপাদনের দোকান:

সেমিকন্ডাক্টর চিপ এপিটাক্সি ইন্ডাস্ট্রি চেইনের ওভারভিউ: