ডিস্ক রিসিভার

ভেটেক সেমিকন্ডাক্টরের গ্রাফাইট ডিস্ক সাসেপ্টর, উন্নত সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন প্রক্রিয়াগুলির জন্য একটি উচ্চ-কর্মক্ষমতা পণ্য। আমাদের গ্রাফাইট ডিস্ক সাসেপ্টরটি শিল্পের চাহিদা মেটাতে এবং ব্যতিক্রমী কর্মক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতা প্রদানের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে।

এই গ্রাফাইট ডিস্ক সাসেপ্টর হল AIX G5 প্ল্যানেটারি রিঅ্যাক্টর প্ল্যাটফর্মের জন্য OEM।

GaN-on-Si MOCVD LED এপিটাক্সিয়াল উৎপাদনের জন্য ব্যবহৃত হয়, এবং Aixtron G5 চুল্লি MOCVD প্ল্যাটফর্মের ফলন এবং অভিন্নতা উন্নত করে। পাঁচটি 200 মিমি ওয়েফারে একটি সম্পূর্ণরূপে ঘোরানো প্রতিসাম্য অভিন্ন প্যাটার্ন, একটি স্ট্যান্ডার্ড পুরুত্বের সিলিকন সাবস্ট্রেট ব্যবহার করে এবং ওয়েফার নমন আচরণকে নিয়ন্ত্রণ করে সিলিকন তৈরির জন্য তাদের যা প্রয়োজন তা আনুষ্ঠানিক করে তোলে।

GaN-on-Si MOCVD-এর জন্য ভেটেক সেমিকন্ডাক্টরের উচ্চ-বিশুদ্ধ গ্রাফাইট ডিস্ক সাসেপ্টর, উন্নত সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন প্রক্রিয়াগুলির জন্য একটি নির্ভরযোগ্য এবং সাশ্রয়ী সমাধান।

আমাদের উচ্চ-বিশুদ্ধতা গ্রাফাইট ডিস্ক সাসেপ্টর বিশেষভাবে GaN-on-Si MOCVD প্রক্রিয়াগুলির প্রয়োজনীয়তা পূরণ করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। এর ব্যতিক্রমী তাপীয় স্থিতিশীলতা এবং তাপ প্রতিরোধের সাথে, এটি সাধারণত 800 ° C থেকে 1100 ° C পর্যন্ত চাহিদার তাপমাত্রার পরিস্থিতি সহ্য করতে পারে, জমা প্রক্রিয়া চলাকালীন সর্বোত্তম কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে।

আমাদের ডিস্ক সাসেপ্টরে ব্যবহৃত উচ্চ-বিশুদ্ধ গ্রাফাইট উপাদানটি চমৎকার রাসায়নিক প্রতিরোধের প্রদান করে, এটিকে অ্যামোনিয়া (NH3) এবং সাধারণত GaN-on-Si MOCVD-তে ব্যবহৃত জৈব ধাতব পূর্বসূরীর সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ করে তোলে। এটি অতিরিক্ত SiC আবরণের প্রয়োজনীয়তা দূর করে, কর্মক্ষমতার সাথে আপস না করে উৎপাদন খরচ কমায়।

ভেটেক সেমিকন্ডাক্টরের উচ্চ-বিশুদ্ধতা গ্রাফাইট ডিস্ক সাসেপ্টর গুণমানের সাথে আপস না করে একটি সাশ্রয়ী সমাধান প্রদান করে। এর নির্ভরযোগ্যতা, স্থায়িত্ব, এবং GaN-on-Si MOCVD প্রক্রিয়াগুলির সাথে সামঞ্জস্যতা এটিকে সেমিকন্ডাক্টর নির্মাতাদের পছন্দের পছন্দ করে তোলে। আপনার GaN-on-Si MOCVD উত্পাদন প্রয়োজনের জন্য উচ্চ-পারফরম্যান্স গ্রাফাইট ডিস্ক সাসেপ্টর সরবরাহ করতে ভেটেক সেমিকন্ডাক্টরকে বিশ্বাস করুন।

উৎপাদনের দোকান:

সেমিকন্ডাক্টর চিপ এপিটাক্সি ইন্ডাস্ট্রি চেইনের ওভারভিউ: