ইপিআই রিসিভার হলে

VeTek সেমিকন্ডাক্টর হল একটি কারখানা যা নির্ভুল মেশিনিং এবং সেমিকন্ডাক্টর SiC এবং TaC আবরণ ক্ষমতাকে একত্রিত করে। ব্যারেল টাইপ Si Epi সাসেপ্টর তাপমাত্রা এবং বায়ুমণ্ডল নিয়ন্ত্রণ ক্ষমতা প্রদান করে, সেমিকন্ডাক্টর এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির প্রক্রিয়াগুলিতে উত্পাদন দক্ষতা বৃদ্ধি করে। আপনার সাথে সহযোগিতার সম্পর্ক স্থাপনের জন্য উন্মুখ।

অনুসন্ধান পাঠান

পণ্যের বর্ণনা

নিম্ন মানের Si Epi Susceptor-এর পরিচিতি, ব্যারেল টাইপ Si Epi সাসেপ্টর আরও ভালভাবে বুঝতে সাহায্য করার আশায়। একটি ভাল ভবিষ্যত তৈরি করতে আমাদের সাথে সহযোগিতা চালিয়ে যেতে নতুন এবং পুরানো গ্রাহকদের স্বাগতম!

একটি এপিটাক্সিয়াল রিঅ্যাক্টর একটি বিশেষ ডিভাইস যা সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনে এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির জন্য ব্যবহৃত হয়। ব্যারেল টাইপ সি এপি সাসেপ্টর একটি পরিবেশ প্রদান করে যা ওয়েফার পৃষ্ঠে নতুন স্ফটিক স্তরগুলি জমা করার জন্য তাপমাত্রা, বায়ুমণ্ডল এবং অন্যান্য মূল পরামিতিগুলি নিয়ন্ত্রণ করে।

ব্যারেল টাইপ সি এপি সাসেপ্টরের প্রধান সুবিধা হল এর একাধিক চিপ একই সাথে প্রক্রিয়া করার ক্ষমতা, যা উৎপাদন দক্ষতা বাড়ায়। এটিতে সাধারণত একাধিক ওয়েফার রাখার জন্য একাধিক মাউন্ট বা ক্ল্যাম্প থাকে যাতে একই বৃদ্ধি চক্রে একই সময়ে একাধিক ওয়েফার জন্মাতে পারে। এই উচ্চ থ্রুপুট বৈশিষ্ট্যটি উত্পাদন চক্র এবং খরচ হ্রাস করে এবং উত্পাদন দক্ষতা উন্নত করে।

এছাড়াও, ব্যারেল টাইপ সি এপি সাসেপ্টর অপ্টিমাইজ করা তাপমাত্রা এবং বায়ুমণ্ডল নিয়ন্ত্রণ অফার করে। এটি একটি উন্নত তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণ ব্যবস্থার সাথে সজ্জিত যা পছন্দসই বৃদ্ধির তাপমাত্রা সঠিকভাবে নিয়ন্ত্রণ এবং বজায় রাখতে সক্ষম। একই সময়ে, এটি ভাল বায়ুমণ্ডল নিয়ন্ত্রণ প্রদান করে, নিশ্চিত করে যে প্রতিটি চিপ একই বায়ুমণ্ডলের অবস্থার অধীনে বেড়েছে। এটি অভিন্ন এপিটাক্সিয়াল স্তর বৃদ্ধি পেতে এবং এপিটাক্সিয়াল স্তরের গুণমান এবং ধারাবাহিকতা উন্নত করতে সহায়তা করে।

ব্যারেল টাইপ সি এপি সাসেপ্টরে, চিপ সাধারণত বায়ু প্রবাহ বা তরল প্রবাহের মাধ্যমে অভিন্ন তাপমাত্রা বন্টন এবং তাপ স্থানান্তর অর্জন করে। এই অভিন্ন তাপমাত্রা বন্টন গরম দাগ এবং তাপমাত্রা গ্রেডিয়েন্ট গঠন এড়াতে সাহায্য করে, যার ফলে এপিটাক্সিয়াল স্তরের অভিন্নতা উন্নত হয়।

আরেকটি সুবিধা হল ব্যারেল টাইপ Si Epi সাসেপ্টর নমনীয়তা এবং মাপযোগ্যতা প্রদান করে। এটি বিভিন্ন এপিটাক্সিয়াল উপকরণ, চিপের আকার এবং বৃদ্ধির পরামিতিগুলির জন্য সামঞ্জস্য এবং অপ্টিমাইজ করা যেতে পারে। এটি গবেষক এবং প্রকৌশলীদের বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশন এবং প্রয়োজনীয়তার এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির চাহিদা মেটাতে দ্রুত প্রক্রিয়া বিকাশ এবং অপ্টিমাইজেশন পরিচালনা করতে সক্ষম করে।

CVD SiC আবরণের মৌলিক শারীরিক বৈশিষ্ট্য:

CVD SiC আবরণের মৌলিক শারীরিক বৈশিষ্ট্য
সম্পত্তি	স্বাভাবিক মূল্য
স্ফটিক গঠন	FCC β ফেজ পলিক্রিস্টালাইন, প্রধানত (111) ভিত্তিক
ঘনত্ব	3.21 গ্রাম/সেমি³
কঠোরতা	2500 ভিকার কঠোরতা (500 গ্রাম লোড)
দ্রব্যের আকার	2~10μm
রাসায়নিক বিশুদ্ধতা	99.99995%
তাপ ধারনক্ষমতা	640 J·kg-1·K-1
পরমানন্দ তাপমাত্রা	2700℃
নমনীয় শক্তি	415 MPa RT 4-পয়েন্ট
ইয়ং এর মডুলাস	430 Gpa 4pt বাঁক, 1300℃
তাপ পরিবাহিতা	300W·m-1·K-1
তাপীয় সম্প্রসারণ (CTE)	4.5×10-6K-1