বাড়ি > পণ্য > ট্যানটালাম কার্বাইড লেপ > SiC একক ক্রিস্টাল বৃদ্ধি প্রক্রিয়া খুচরা যন্ত্রাংশ
পণ্য

চীন SiC একক ক্রিস্টাল বৃদ্ধি প্রক্রিয়া খুচরা যন্ত্রাংশ প্রস্তুতকারক, সরবরাহকারী, কারখানা

VeTek সেমিকন্ডাক্টরের পণ্য, SiC সিঙ্গেল ক্রিস্টাল গ্রোথ প্রসেসের জন্য ট্যান্টালম কার্বাইড (TaC) আবরণ পণ্য, সিলিকন কার্বাইড (SiC) স্ফটিকগুলির বৃদ্ধির ইন্টারফেসের সাথে যুক্ত চ্যালেঞ্জগুলিকে মোকাবেলা করে, বিশেষ করে ক্রিস্টালের প্রান্তে ঘটে যাওয়া ব্যাপক ত্রুটিগুলি। TaC আবরণ প্রয়োগ করে, আমরা স্ফটিক বৃদ্ধির গুণমান উন্নত করা এবং ক্রিস্টালের কেন্দ্রের কার্যকর এলাকা বৃদ্ধি করার লক্ষ্য রাখি, যা দ্রুত এবং পুরু বৃদ্ধি অর্জনের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

TaC আবরণ উচ্চ-মানের SiC একক স্ফটিক বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার জন্য একটি মূল প্রযুক্তিগত সমাধান। আমরা সফলভাবে রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) ব্যবহার করে একটি TaC আবরণ প্রযুক্তি তৈরি করেছি, যা আন্তর্জাতিকভাবে উন্নত স্তরে পৌঁছেছে। TaC এর ব্যতিক্রমী বৈশিষ্ট্য রয়েছে, যার মধ্যে রয়েছে 3880°C পর্যন্ত উচ্চ গলনাঙ্ক, চমৎকার যান্ত্রিক শক্তি, কঠোরতা এবং তাপীয় শক প্রতিরোধ ক্ষমতা। উচ্চ তাপমাত্রা এবং অ্যামোনিয়া, হাইড্রোজেন এবং সিলিকনযুক্ত বাষ্পের মতো পদার্থের সংস্পর্শে এলে এটি ভাল রাসায়নিক জড়তা এবং তাপীয় স্থিতিশীলতাও প্রদর্শন করে।

VeTek সেমিকন্ডাক্টরের ট্যানটালাম কার্বাইড (TaC) আবরণ SiC সিঙ্গেল ক্রিস্টাল গ্রোথ প্রসেসে প্রান্ত-সম্পর্কিত সমস্যাগুলির সমাধান করার জন্য একটি সমাধান দেয়, যা বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার গুণমান এবং দক্ষতা উন্নত করে। আমাদের উন্নত TaC আবরণ প্রযুক্তির সাহায্যে, আমরা তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের উন্নয়নে সহায়তা করা এবং আমদানি করা মূল উপকরণের উপর নির্ভরতা কমানোর লক্ষ্য রাখি।


PVT পদ্ধতি SiC একক স্ফটিক বৃদ্ধি প্রক্রিয়া খুচরা যন্ত্রাংশ:

TaC প্রলিপ্ত ক্রুসিবল, TaC আবরণ সহ বীজ ধারক, TaC আবরণ গাইড রিং PVT পদ্ধতিতে SiC এবং AIN একক ক্রিস্টাল ফার্নেসের গুরুত্বপূর্ণ অংশ।


মূল বৈশিষ্ট্য:

- উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধের

-উচ্চ বিশুদ্ধতা, SiC কাঁচামাল এবং SiC একক ক্রিস্টালকে দূষিত করবে না।

-আল বাষ্প এবং N₂জারা প্রতিরোধী

-স্ফটিক প্রস্তুতি চক্রকে ছোট করতে উচ্চ ইউটেটিক তাপমাত্রা (AlN সহ)।

-পুনর্ব্যবহারযোগ্য (200 ঘন্টা পর্যন্ত), এটি এই ধরনের একক স্ফটিক তৈরির স্থায়িত্ব এবং দক্ষতা উন্নত করে।


TaC আবরণ বৈশিষ্ট্য


ট্যাক লেপের সাধারণ শারীরিক বৈশিষ্ট্য

TaC আবরণের শারীরিক বৈশিষ্ট্য
ঘনত্ব 14.3 (g/cm³)
নির্দিষ্ট নির্গততা 0.3
তাপ সম্প্রসারণ সহগ 6.3 10-6/K
কঠোরতা (HK) 2000 HK
প্রতিরোধ 1×10-5 ওহম*সেমি
তাপ - মাত্রা সহনশীল <2500℃
গ্রাফাইটের আকার পরিবর্তন -10~-20um
আবরণ বেধ ≥20um সাধারণ মান (35um±10um)


View as  
 
TaC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট ওয়েফার ক্যারিয়ার

TaC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট ওয়েফার ক্যারিয়ার

VeTek সেমিকন্ডাক্টর হল চীনের একটি নেতৃস্থানীয় TaC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট ওয়েফার ক্যারিয়ার প্রস্তুতকারক এবং উদ্ভাবক। আমরা বহু বছর ধরে SiC এবং TaC আবরণে বিশেষায়িত হয়েছি। আমাদের TaC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট ওয়েফার ক্যারিয়ারের উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধী এবং পরিধান-প্রতিরোধী রয়েছে। আমরা চীনে আপনার দীর্ঘমেয়াদী অংশীদার হওয়ার জন্য উন্মুখ।

আরও পড়ুনঅনুসন্ধান পাঠান
চীনে একজন পেশাদার SiC একক ক্রিস্টাল বৃদ্ধি প্রক্রিয়া খুচরা যন্ত্রাংশ প্রস্তুতকারক এবং সরবরাহকারী হিসাবে, আমাদের নিজস্ব কারখানা রয়েছে। আপনার অঞ্চলের নির্দিষ্ট চাহিদা মেটাতে আপনার কাস্টমাইজড পরিষেবার প্রয়োজন হোক বা চীনে তৈরি উন্নত এবং টেকসই SiC একক ক্রিস্টাল বৃদ্ধি প্রক্রিয়া খুচরা যন্ত্রাংশ কিনতে চান, আপনি আমাদের একটি বার্তা দিতে পারেন।
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept