TaC আবরণ প্ল্যানেটারি সাসেপ্টর

VeTek Semiconductor'TaC আবরণ প্ল্যানেটারি সাসেপ্টর হল Aixtron epitaxy সরঞ্জামের জন্য একটি ব্যতিক্রমী পণ্য। শক্তিশালী TaC আবরণ চমৎকার উচ্চ-তাপমাত্রা প্রতিরোধ এবং রাসায়নিক জড়তা প্রদান করে। এই অনন্য সমন্বয় নির্ভরযোগ্য কর্মক্ষমতা এবং দীর্ঘ সেবা জীবন নিশ্চিত করে, এমনকি চাহিদাপূর্ণ পরিবেশেও। VeTek উচ্চ-মানের পণ্য সরবরাহ করতে এবং প্রতিযোগিতামূলক মূল্যের সাথে চীনা বাজারে দীর্ঘমেয়াদী অংশীদার হিসাবে পরিবেশন করতে প্রতিশ্রুতিবদ্ধ।

অনুসন্ধান পাঠান

পণ্যের বর্ণনা

সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনের ক্ষেত্রে, TaC আবরণ প্ল্যানেটারি সাসেপ্টর একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে। এটি Aixtron G5 সিস্টেমের মতো সরঞ্জামগুলিতে সিলিকন কার্বাইড (SiC) এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলির বৃদ্ধিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। তদ্ব্যতীত, যখন SiC এপিটাক্সির জন্য ট্যানটালাম কার্বাইড (TaC) আবরণ জমাতে বাইরের ডিস্ক হিসাবে ব্যবহার করা হয়, তখন TaC আবরণ প্ল্যানেটারি সাসেপ্টর অপরিহার্য সমর্থন এবং স্থিতিশীলতা প্রদান করে। এটি ট্যানটালাম কার্বাইড স্তরের অভিন্ন জমাকরণ নিশ্চিত করে, চমৎকার পৃষ্ঠের আকারবিদ্যা এবং পছন্দসই ফিল্ম বেধ সহ উচ্চ-মানের এপিটাক্সিয়াল স্তর গঠনে অবদান রাখে। TaC আবরণের রাসায়নিক জড়তা অবাঞ্ছিত প্রতিক্রিয়া এবং দূষণ প্রতিরোধ করে, এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলির অখণ্ডতা বজায় রাখে এবং তাদের উচ্চতর গুণমান নিশ্চিত করে।

TaC আবরণ এর ব্যতিক্রমী তাপ পরিবাহিতা দক্ষ তাপ স্থানান্তর সক্ষম করে, অভিন্ন তাপমাত্রা বন্টন প্রচার করে এবং এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার সময় তাপীয় চাপ কমিয়ে দেয়। এর ফলে উন্নত ক্রিস্টালোগ্রাফিক বৈশিষ্ট্য এবং উন্নত বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা সহ উচ্চ-মানের SiC এপিটাক্সিয়াল স্তর তৈরি হয়।

TaC আবরণ প্ল্যানেটারি ডিস্কের সুনির্দিষ্ট মাত্রা এবং মজবুত নির্মাণ বিদ্যমান সিস্টেমে একীভূত করা সহজ করে, বিরামবিহীন সামঞ্জস্যতা এবং দক্ষ অপারেশন নিশ্চিত করে। এর নির্ভরযোগ্য কর্মক্ষমতা এবং উচ্চ-মানের TaC আবরণ SiC এপিটাক্সি প্রক্রিয়াগুলিতে সামঞ্জস্যপূর্ণ এবং অভিন্ন ফলাফলে অবদান রাখে।

SiC এপিটাক্সিতে ব্যতিক্রমী কর্মক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতার জন্য VeTek সেমিকন্ডাক্টর এবং আমাদের TaC আবরণ প্ল্যানেটারি ডিস্ককে বিশ্বাস করুন। সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে প্রযুক্তিগত অগ্রগতির অগ্রভাগে আপনাকে অবস্থান করে আমাদের উদ্ভাবনী সমাধানগুলির সুবিধার অভিজ্ঞতা নিন।

TaC আবরণ এবং SiC আবরণ খুচরা যন্ত্রাংশ আমরা সরবরাহ করি:

TaC আবরণ প্ল্যানেটারি সাসেপ্টরের পণ্যের প্যারামিটার:

TaC আবরণের শারীরিক বৈশিষ্ট্য
ঘনত্ব	14.3 (g/cm³)
নির্দিষ্ট নির্গততা	0.3
তাপ সম্প্রসারণ সহগ	৬.৩ ১০-৬/কে
কঠোরতা (HK)	2000 HK
প্রতিরোধ	1×10-5 ওহম*সেমি
তাপ - মাত্রা সহনশীল	<2500℃
গ্রাফাইটের আকার পরিবর্তন	-10~-20um
আবরণ বেধ	≥20um সাধারণ মান (35um±10um)