TaC আবরণ সাসেপ্টর

VeTek সেমিকন্ডাক্টর TaC আবরণ সাসেপ্টর উপস্থাপন করে, এর ব্যতিক্রমী TaC আবরণ সহ, এই সাসেপ্টরটি অনেক সুবিধা প্রদান করে যা এটিকে প্রচলিত সমাধান থেকে আলাদা করে। বিদ্যমান সিস্টেমে নির্বিঘ্নে একীভূত করে, VeTek সেমিকন্ডাক্টর থেকে TaC কোটিং সাসেপ্টর সামঞ্জস্যতা এবং দক্ষ অপারেশনের নিশ্চয়তা দেয়। এর নির্ভরযোগ্য কর্মক্ষমতা এবং উচ্চ-মানের TaC আবরণ ধারাবাহিকভাবে SiC epitaxy প্রক্রিয়াগুলিতে ব্যতিক্রমী ফলাফল প্রদান করে। আমরা প্রতিযোগিতামূলক মূল্যে মানসম্পন্ন পণ্য সরবরাহ করতে প্রতিশ্রুতিবদ্ধ এবং চীনে আপনার দীর্ঘমেয়াদী অংশীদার হওয়ার জন্য উন্মুখ।

অনুসন্ধান পাঠান

পণ্যের বর্ণনা

VeTek সেমিকন্ডাক্টরের TaC প্রলিপ্ত সাসেপ্টর এবং রিং একসাথে LPE সিলিকন কার্বাইড এপিটাক্সিয়াল গ্রোথ রিঅ্যাক্টরে কাজ করে:

উচ্চ-তাপমাত্রা প্রতিরোধ: TaC আবরণ সাসেপ্টরের চমৎকার উচ্চ-তাপমাত্রা প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে, LPE চুল্লিতে 1500°C পর্যন্ত চরম তাপমাত্রা সহ্য করতে সক্ষম। এটি নিশ্চিত করে যে দীর্ঘমেয়াদী অপারেশন চলাকালীন সরঞ্জাম এবং উপাদানগুলি বিকৃত বা ক্ষতিগ্রস্ত হয় না।

রাসায়নিক স্থিতিশীলতা: TaC আবরণ সাসেপ্টর ক্ষয়কারী সিলিকন কার্বাইড বৃদ্ধির পরিবেশে ব্যতিক্রমীভাবে ভাল পারফর্ম করে, কার্যকরভাবে ক্ষয়কারী রাসায়নিক আক্রমণ থেকে চুল্লির উপাদানগুলিকে রক্ষা করে, যার ফলে তাদের পরিষেবা জীবন প্রসারিত হয়।

তাপীয় স্থিতিশীলতা: TaC আবরণ সাসেপ্টরের ভাল তাপীয় স্থিতিশীলতা রয়েছে, চুল্লিতে তাপমাত্রা ক্ষেত্রের অভিন্নতা নিশ্চিত করার জন্য পৃষ্ঠের আকারবিদ্যা এবং রুক্ষতা বজায় রাখে, যা সিলিকন কার্বাইড এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলির উচ্চ-মানের বৃদ্ধির জন্য উপকারী।

দূষণ বিরোধী: মসৃণ TaC প্রলিপ্ত পৃষ্ঠ এবং উচ্চতর TPD (টেম্পারেচার প্রোগ্রামড ডিসোর্পশন) কর্মক্ষমতা চুল্লির অভ্যন্তরে কণা এবং অমেধ্য জমা হওয়া এবং শোষণকে কমিয়ে দিতে পারে, এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলির দূষণ রোধ করতে পারে।

সংক্ষেপে, TaC প্রলিপ্ত সাসেপ্টর এবং রিং LPE সিলিকন কার্বাইড এপিটাক্সিয়াল গ্রোথ রিঅ্যাক্টরে একটি গুরুত্বপূর্ণ প্রতিরক্ষামূলক ভূমিকা পালন করে, যা সরঞ্জামের দীর্ঘমেয়াদী স্থিতিশীল অপারেশন এবং এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলির উচ্চ-মানের বৃদ্ধি নিশ্চিত করে।

TaC আবরণ সাসেপ্টরের পণ্য পরামিতি:

TaC আবরণের শারীরিক বৈশিষ্ট্য
ঘনত্ব	14.3 (g/cm³)
নির্দিষ্ট নির্গততা	0.3
তাপ সম্প্রসারণ সহগ	৬.৩ ১০-৬/কে
কঠোরতা (HK)	2000 HK
প্রতিরোধ	1×10-5 ওহম*সেমি
তাপীয় স্থিতিশীলতা	<2500℃
গ্রাফাইটের আকার পরিবর্তন	-10~-20um
আবরণ বেধ	≥20um সাধারণ মান (35um±10um)